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使用掃描電鏡觀察樣品是否會造成損傷?

日期:2025-05-13

使用掃描電鏡(SEM)觀察樣品在某些情況下確實可能造成樣品損傷。這種損傷取決于樣品的材質、電導率、結構穩(wěn)定性、電子束參數(shù)等。以下是常見的損傷機制和原因:

一、常見損傷類型:

電子束燒蝕(Beam Damage)

高能電子束可引起樣品局部升溫,導致材料分解、熔化或蒸發(fā);

薄膜、聚合物、生物樣品等尤其容易被燒蝕。

電荷積聚引發(fā)的損傷(Charging Effects)

非導電樣品容易積聚電荷,造成局部電場破壞樣品表面結構;

會產(chǎn)生圖像漂移、畸變,嚴重時導致表面起泡或開裂。

結構擾動或物理破壞

多孔、微納結構的樣品,如粉末、微粒、柔性材料,在真空或束流轟擊下可能坍塌、移位。

化學變化或污染

高能電子與樣品表面反應可能引發(fā)化學鍵斷裂;

環(huán)境氣體或殘余油污染物在電子束照射下聚集、沉積,改變表面成分。

二、避免損傷的方法:

降低加速電壓:常用 1–5 kV 觀察敏感樣品;

減小束流電流或縮短曝光時間;

使用金屬鍍膜:為非導體樣品表面噴金或碳,提高導電性;

采用低真空模式或環(huán)境掃描電鏡(ESEM):減少電荷積聚;

冷臺觀察:抑制熱效應,尤其對生物和聚合物樣品有幫助。


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作者:澤攸科技


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